|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: CANNON 67 3F
Искать " CANNON 67 3F" в других поисковых системах: GoogleCANNON 67 3FИнформация по: CANNON 67 3F- Vishay предлагает новый 30-вольтовый полумостовой каскад на основе мощных MOSFET
Сдвоенное устройство с интегрированным диодом Шоттки увеличивает плотность мощности и КПД, занимая на плате на 65% меньше места, чем корпуса 6 мм × 5 мм Vishay Intertechnology представила новый 30-вольтовый полумостовой силовой каскад на основе MOSFET, в компактном корпусе PowerPAIR которого, имеющем размеры 3.3 мм × 3.3 мм, объединены TrenchFET MOSFET верхнего плеча, SkyFET MOSFET нижнего плеча и диод Шоттки. Силовой каскад SiZF300DT , разработанный подразделением Vishay ... - Схема на китайский черно-белый телевизор диагональю 6-7 дюймов
Нужна схема на китайский черно-белый телевизор диоганалью 6-7 дюймов. Марки у них разнообразные, но собраны они все по типовой схеме. Подойдет любая схема. должна подойти,они все почти стандарты.Не знаю только как получилось вложить ее Спасибо за схему, но в китайских все проще. Одна микросхема типа нашей КР1039ХА1. Высоковольтная часть ключевой транзистор (без радиатора) У меня есть на 5,5 дюймов если что пиши куда отправить, размер около 400kb Вышли на hilk@nm.ru Отправил, смотри почту! У ... - Datasheet PMN20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457
Наименование модели: PMN20EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN20EN 30 V, 6.7 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 30 May 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 6.7 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.016 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В ...
|